RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Note globale
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.3
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1605
3509
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology AD63I1C1624EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link