RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Note globale
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
29
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
22
Vitesse de lecture, GB/s
11.3
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1605
3036
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link