RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Comparez
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Note globale
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
14900
Autour de 1.14 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
17000
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
2960
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link