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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Note globale
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
65
Autour de -124% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
1,711.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,018.7
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,711.1
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
3221
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-030.A00G 8GB
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A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
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