RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
65
Autour de -67% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,711.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
39
Vitesse de lecture, GB/s
4,018.7
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,711.1
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
2971
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaison des RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link