RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
65
Autour de -195% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.3
1,711.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,018.7
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,711.1
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
3879
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaison des RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Comparaison des RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link