RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
65
Autour de -183% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
1,711.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,018.7
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,711.1
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
3260
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaison des RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Panram International Corporation PUD32800C124G2LSK 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link