RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Note globale
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
65
Autour de -171% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.2
1,711.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,018.7
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,711.1
6.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
2078
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaison des RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link