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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Note globale
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
65
Autour de -76% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
1,711.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,018.7
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,711.1
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
3075
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB
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