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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,978.2
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
66
Autour de -230% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
20
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
2707
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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