RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,978.2
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
66
Autour de -83% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
36
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
3564
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link