RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,978.2
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
66
Autour de -83% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
36
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
2700
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link