RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
66
Autour de -120% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
2,978.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
12.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
2659
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link