RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,978.2
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
66
Autour de -61% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
41
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
3073
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Corsair CM3X4GBA1600C9V4 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link