RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
10
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
66
Autour de -120% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
2,978.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
2234
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link