RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,978.2
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
66
Autour de -106% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
3393
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link