RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,978.2
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
66
Autour de -83% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
36
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
2792
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link