RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
64
66
Autour de -3% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
2,978.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
64
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
2197
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link