RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,978.2
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
66
Autour de -100% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
2913
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link