RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,978.2
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
66
Autour de -120% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
2807
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link