RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,978.2
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
66
Autour de -144% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
18.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
3826
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link