RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,076.1
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
59
Autour de -211% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
19
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
3521
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Inmos + 256MB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link