RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
59
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
2,076.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
2750
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link