RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,076.1
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
59
Autour de -195% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
20
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
3234
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link