RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
59
Autour de -97% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.6
2,076.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
1832
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link