RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
59
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.6
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
2,076.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
9.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
2082
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link