RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,076.1
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
59
Autour de -84% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
2641
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link