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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
62
Autour de -107% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
1,658.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,216.7
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,658.4
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
688
3014
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
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