RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Note globale
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
62
Autour de -77% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
1,658.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,216.7
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,658.4
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
688
3029
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link