RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Note globale
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
62
Autour de -88% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
1,658.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,216.7
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,658.4
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
688
3224
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link