RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,013.5
16.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
68
Autour de -172% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,402.8
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,013.5
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
701
3651
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link