RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
68
Autour de -127% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
2,013.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,402.8
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,013.5
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
701
2234
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link