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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Note globale
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Note globale
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Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Différences Spécifications Commentaires

Différences

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 10.5
    Valeur moyenne dans les tests
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Raisons de considérer
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    52 left arrow 68
    Autour de -31% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    7.7 left arrow 2,013.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 6400
    Autour de 3 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    68 left arrow 52
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,402.8 left arrow 10.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,013.5 left arrow 7.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    701 left arrow 2236

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