RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Note globale
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
68
Autour de -113% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.9
2,013.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,402.8
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,013.5
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
701
1844
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link