RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
22
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,381.6
19.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
60
Autour de -122% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
27
Vitesse de lecture, GB/s
5,082.2
22.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,381.6
19.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
925
4052
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link