RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,381.6
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
60
Autour de -88% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
32
Vitesse de lecture, GB/s
5,082.2
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,381.6
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
925
3000
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link