RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
19
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,381.6
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
60
Autour de -71% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
35
Vitesse de lecture, GB/s
5,082.2
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,381.6
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
925
3331
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link