RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
60
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
2,381.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
30
Vitesse de lecture, GB/s
5,082.2
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,381.6
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
925
2374
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link