RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,381.6
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
60
Autour de -82% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
33
Vitesse de lecture, GB/s
5,082.2
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,381.6
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
925
2774
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Mushkin 992031 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link