RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Note globale
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
60
Autour de -58% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
2,381.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
38
Vitesse de lecture, GB/s
5,082.2
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,381.6
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
925
2451
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link