RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
44
Autour de -26% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
35
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
2237
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link