RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
44
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
8,883.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
32
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
2546
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link