RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
70
Autour de 37% latence réduite
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
8,883.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
70
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
1971
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link