RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
44
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
32
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
3385
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link