RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
50
Autour de 12% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
50
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
3277
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link