RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
44
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
32
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
2667
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link