RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
44
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
22
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
3115
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link