RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
44
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
35
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
3090
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link