RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
44
Autour de -76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
25
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
3519
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link