RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
44
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
29
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
3501
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link